SSM and SEMILAB Applications

　■GateOxide評価

近年の薄膜ゲート酸化膜やSiON系酸化膜，次世代へと使われていくであろうHigh-k材料などの電気膜厚(EOT)や膜内電荷，界面電荷のコントロールは非常に重要になってきています。R&Dワークにおけるプロセスの早期開発やライン管理の重要性は一段と高まっております。それらの要求を満たすべくIn-Line Monitoringを可能にしたFastGateR装置をこのたび開発し，ゲートプロセス開発初期から量産までのソリューションを御提供いたします。

厚膜に関しては水銀プローブCV/IV測定装置により開発およびモニタリングが可能です。

FastGate(R)
・薄膜（＜２nm )の EOT (酸化膜換算膜厚)
・薄膜（＜２nm )のDit測定
・リーク電流測定
・イオン注入ドース量のモニタリング（高ドースも可）
・接合リークの評価

水銀プローブＣＶ
・高周波CVプロファイル測定
・Dit測定
・膜内電荷量(VFB)
・チャネルインプラントのドース量
・リーク電流測定
・誘電率測定

　■Epi評価

	エピウェハの濃度プロファイル測定を御提供します。Hg-CVにおいてはAs EPIでの測定も可能であり，迅速なプロセスへのフィードバックが可能です。 SRPに関しては浅い接合や拡散などの深いプロファイル測定も可能にしております。
	水銀プローブＣＶ・高周波CVプロファイル測定・濃度プロファイル測定・比抵抗自動換算	SRP ・チャネルインプラのドース量・S/D高ドーズインプラモニタ・拡散ウェハの比抵抗プロファイル測定・P/Nヘテロジャンクションプロファイル測定	FastGate(R) Epi ・インラインモニター・高周波CVプロファイル測定・濃度プロファイル測定・比抵抗自動換算

　■Low-k評価

	CVDやSpin-Onで形成されたlow-k材料の比誘電率測定やリーク電流測定が可能です。
	水銀プローブＣＶ・高周波CVプロファイル測定・誘電率測定・リーク電流測定	NeoMetrik（TM）・非接触測定・誘電率測定・パターン付ウェハーの測定・エッチングによるダメージ評価・側壁の厚みや誘電率の評価

　■イオン注入評価

	低ドーズのイオン注入測定から、ＳＲＰにおいては S/D用高いドーズ、P/Nジャンクションプロファイル測定が可能です。ＦａｓｔＧａｔｅ（Ｒ）では、インラインでのモニタリングが可能です。
	水銀プローブＣＶ・高周波CVプロファイル測定・チャネルインプラのドース量・注入ドーズ計算・RP算出・しきい値測定	FastGate(R) ・高周波CVプロファイル測定・チャネルインプラのドース量・注入ドーズ計算・RP算出・しきい値測定	SRP ・チャネルインプラのドース量・S/D高ドーズインプラモニタ・P/Nヘテロジャンクション　プロファイル測定

　■ＬＣＤ評価

	高温ポリシリコンや低温ポリシリコン用のゲート酸化膜評価が可能です。シリコン上に形成されたCVD等による酸化膜の膜内電荷，界面電荷，リーク電流測定等がゲート電極不要にて容易に測定可能です。またイオンドーピング装置管理としてシリコンウェア上に注入されたイオン注入プロファイルやドーズ量，RP測定が可能です。
	水銀プローブＣＶ・高周波CVプロファイル測定・Dit測定・膜内電荷量・チャネルインプラントのドース量・リーク電流測定・誘電率測定

　■重金属汚染評価

	Fe汚染等の重金属汚染はゲート絶縁膜の信頼性低下させます。金属種によってはSiバンドギャップ内にDeep Levelを形成し，キャリヤの発生を促し，デバイスへ悪影響を与えます。Hg-CVでは発生ライフタイム測定により汚染の評価，IV測定による信頼性測定，またSRPにおいてはEPIでの空ドーパント成膜から汚染の評価も可能です。Semilab社ＷＴシリーズでは、ライフタイム測定機能に加えFe汚染測定などの評価が可能です。
	ＷＴシリーズ（Ｓｅｍｉｌａｂ社）・ライフタイム・ＳＰＶ（拡散長測定）・ケルビンプローブ（表面電位測定）・ＦｅＢ乖離	水銀プローブＣＶ・高周波CVプロファイル測定・発生ライフタイム測定・発生表面速度測定・TZDB I/V ・TDDB I/V	SRP ・深さ方向へのキャリヤプロファイル測定

　■太陽電池評価

	太陽電池向けシリコンのライフライム評価が可能です。業界標準機としてワールドワイドで採用されており、測定時間0.6秒のスピードで測定ができます。シリコンウェハー及びインゴットでの測定が可能で、研究開発から生産用まで対応できます。
	ＷＴシリーズ（Ｓｅｍｉｌａｂ社）・ライフタイム・ＳＰＶ（拡散長測定）・ケルビンプローブ（表面電位測定）・ＦｅＢ乖離・ＬＢＩＣ（光ー電流測定）