μ-PCD法によりベアー状態のウェハーでバルクライフタイムおよび太陽電池用インゴット/ウェハーのライフタイムが測定できます。又、ライフタイム測定機能に加え、各種プローブ及びユニットの追加により拡散長、Fe汚染、表面電位等の測定が1台でできます。

結晶欠陥検査評価装置 / SIRM-３００

レーザー光をウェハー面に垂直に入射し、ウェハー内面の欠陥からの散乱光の強度、形状から欠陥の種類、サイズを特定する非接触、非破壊法による結晶欠陥の測定システム。

LST・結晶欠陥測定装置　　 LST-３００a 　
（LIGHT SCATTERING TOMOGRAPH）

入射レーザにより生じたBMDからの散乱光をウェハー断面近傍にあるCCDカメラで記録します。測定が迅速（ウェハーの直径に沿ったBMDの濃度、分布が数分で測定可能）深いエリアでの高い解像度があり、測定可能な BMD 最小サイズ12nm。

抵抗率測定器 / RT-1000

抵抗率測定器 RT-1000は、ベストセラー機 RT-100の後継機種となり、渦電流技術を用いて、非接触/非破壊にてシリコンインゴット/ブロックの抵抗測定を可能とし、またシリコン端材、スクラップを含むシリコンインゴット原料のクラス分けにも最適です。Windows プラットフォーム上にて動作し、使いやすくなりました。

高感度DLTSシステム / DLS-83

ス結晶成長やウェハープロセス時に生じる金属汚染及びダメージ等による結晶欠陥を電気的に高感度に測定するシステム。

P/N 判定ツール/ PN-100

半導体材料を非接触/非破壊にて P / N 判定できる、ユニークなペンタイプの型の判定器です。