FastGate（R） CV測定装置　SSM6100/SSM6200/SSM5200/SSM5400

このテクノロジーは米国SSM社が開発した新しい金属プローブ，[EM(Elastic Metal)-Gate]を半導体ウェハー表面に直接コンタクトし，MOS(MIS)構造を形成することでロジックデバイスにて最も重要なパラメターである電気膜厚(CET,EOT)，ﾌﾗｯﾄﾊﾞﾝﾄﾞ電圧(VFB)，界面準位等(Dit)の測定や、USL（極薄層<40nm)のイオン注入、低どース・イオン注入のドース量モニタリングを迅速に測定する技術です。 ウェハーにダメージを与えないことからインラインでモニターが可能です。 Epi のインライン 抵抗率測定用 SSM5400も販売開始しました。

水銀プローブCV/IV測定装置 SSM5130/SSM530/SSM495

半導体シリコンウェハーの電気特性やMOSデバイスの酸化膜等の特性評価を可能にする装置です。 従来ではウェハーにゲート電極としてPoly-SiやAl等を蒸着し，MOS構造・ショットキー構造形成後にCV/IV特性評価を行っておりました。Hg-CV/IV測定装置は装置自身がゲート電極を持つため，メタルゲート作成なしに酸化膜や ウェハーの電気特性を得ることを可能にしており，プロセスモニタリングによる素早いフィードバックやR&Dにおける開発 時間の短縮，Low コスト化を提供します。Epiの抵抗率、Low−ｋ膜の誘電率、TFT 低温ポリシリコンのゲート評価など、数多くのアプリケーションで使用されています。

全自動拡がり抵抗測定装置（SRP) SSM2000

SRP(Spreading Resistance Profiler)装置は，斜め研磨したSiウェハーを深さ方向に２探針をコンタクト させそのプローブ間の拡がり抵抗値からSiの深さ方向の比抵抗プロファイル，EPI層の厚み，PN接合の深さおよびキャリヤ濃度分布を測定する装置です。

NeoMetrik（TM） 非接触 Low-k膜プロセス評価装置 SSM6300

非接触にて、Low-kの誘電率測定が行えます。また、パターンサンプルの評価、エッチング後のダメージ評価等 インラインで測定が可能です。